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簡要描述：雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)和雙腔體設(shè)計(jì)的優(yōu)勢。這種系統(tǒng)通常用于在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中生長高質(zhì)量的薄膜材料，廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、材料科學(xué)和工程等領(lǐng)域。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2024-07-10訪 問 量：548產(chǎn)品分類
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| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 10萬-50萬 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油,交通,制藥,綜合 | 腔體尺寸 | 球形腔體，直徑：400 mm |
| 樣品尺寸 | 1 英寸或 2 英寸向下兼容 | 樣品加熱 | 輻射式加熱 / 電阻式加熱 / 激光加熱 1000 ℃ / 950 ℃ / 1400 ℃ |
| 靶臺操控 | 6 靶位，1 英寸靶托，公自轉(zhuǎn)設(shè)計(jì) | 抽氣泵組 | 國產(chǎn)： BWVAC油泵，360 l/min KYKY分子泵，600 l/s |
| 真空測量 | 國產(chǎn)：Reborn電阻電離復(fù)合規(guī) | 氣路 | 國產(chǎn)：質(zhì)量流量計(jì)Flowmethod，50 / 100 sccm |
| 控壓方式 | 手動(dòng)角閥/漏閥控壓 | 極限真空 | 手動(dòng)角閥/漏閥控壓 |
| 極限真空 | 5 x 10-9 mbar |
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)和雙腔體設(shè)計(jì)的優(yōu)勢。這種系統(tǒng)通常用于在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中生長高質(zhì)量的薄膜材料，廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、材料科學(xué)和工程等領(lǐng)域。
脈沖激光沉積（PLD）是一種物理氣相沉積技術(shù)，它利用高能量的脈沖激光束轟擊靶材表面，使靶材物質(zhì)迅速蒸發(fā)、電離并形成等離子體羽輝。這些高能量的離子和原子隨后沉積在基片表面，經(jīng)過成核和生長過程形成薄膜。PLD具有生長速度快、薄膜成分易于控制、能夠保持靶材的原始結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。
雙腔體設(shè)計(jì)則進(jìn)一步提高了PLD系統(tǒng)的靈活性和功能性。該系統(tǒng)通常包含兩個(gè)獨(dú)立的沉積腔室，每個(gè)腔室都可以獨(dú)立地進(jìn)行薄膜生長過程。這種設(shè)計(jì)允許研究人員在同一臺設(shè)備上同時(shí)制備不同種類的薄膜，或者在不同的生長條件下進(jìn)行對比實(shí)驗(yàn)。此外，雙腔體設(shè)計(jì)還可以減少實(shí)驗(yàn)過程中的污染和交叉污染風(fēng)險(xiǎn)，提高實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性。
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)通常配備有先進(jìn)的光學(xué)系統(tǒng)、激光系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等組件。光學(xué)系統(tǒng)用于精確控制激光束的聚焦和定位，確保激光能夠準(zhǔn)確地轟擊靶材表面。激光系統(tǒng)則提供高能量的脈沖激光束，激發(fā)靶材物質(zhì)形成等離子體羽輝。真空系統(tǒng)則用于維持腔室內(nèi)的高真空環(huán)境，防止外界氣體對薄膜生長的干擾。控制系統(tǒng)則負(fù)責(zé)整個(gè)系統(tǒng)的自動(dòng)化運(yùn)行和參數(shù)調(diào)整，確保實(shí)驗(yàn)過程的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。
總之，雙腔 體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種高效、靈活且可靠的薄膜制備技術(shù)，它在材料科學(xué)研究和新材料開發(fā)中發(fā)揮著重要作用。通過精確控制實(shí)驗(yàn)條件和參數(shù)，研究人員可以制備出具有優(yōu)異性能的新型薄膜材料，為推動(dòng)科技進(jìn)步和創(chuàng)新做出重要貢獻(xiàn)。
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