半導體類。

納米科技。

產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查。

氧化物、氮化物和金屬材料的研究。

太陽能電池。

光學研究。

材料研究。

客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和

其應(yīng)用。

寬大的前開式門，並有兩個視窗和視窗

遮版用於觀察基材和濺鍍源。

具有顯示功能的全領(lǐng)域真空計和用於

壓力控制的Baratron真空計。

腔體的極限真空度約為10^-8Torr。

客製化基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

磁控濺鍍源（最多6個源），具有多

種可選的靶材尺寸。

射頻、直流或脈衝直流，分別用於

非導電，導電靶材。

具有順序操作或共沉積的多個濺鍍

源。

精準流量控制器（最多4條氣體管線）。

基板可加熱到600°C。

可調(diào)節(jié)的基材到靶材之間距。

每個濺鍍源和基板均安裝遮板。

可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合

在一起。

結(jié)合離子源、熱蒸發(fā)源、電子束...。

基板可用射頻或直流偏壓。

膜厚監(jiān)測儀。

射頻等離子清潔用於基材。

OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。