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簡要描述:原子層蝕刻設(shè)備是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù),可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小,需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。
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原子層蝕刻設(shè)備介紹:
原子層蝕刻設(shè)備ALE)是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù),可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小,需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。
這就引起了人們對(duì)被稱為原子級(jí)蝕刻(ALE)的技術(shù)的關(guān)注,該技術(shù)克服了原子級(jí)常規(guī)蝕刻的局限性?;峨姖{的原子層蝕刻是氣體以定量注入和離子轟擊的周期性蝕刻過程,並具有去除單個(gè)薄膜層、極低的損壞率等優(yōu)點(diǎn)。
SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程,並提供高精準(zhǔn)度的薄膜蝕刻。
原子層蝕刻設(shè)備參數(shù):
應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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